高强度氮化铝（HPAN）用于除了特殊的热导率之外还需要高电阻率的应用中。
高强度氮化铝的应用通常涉及严格的机械冲击, 高温绝缘或腐蚀性的环境。
产品特点及优势
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- 热导率高 90W/m.K~210W/m.K
- 膨胀系数可与半导体硅片相匹配 5.0
- 具有高的绝缘电阻和耐电压强度
- 介电常数低，介质耗损小
- 机械强度高、超高压缩强度
典型市场应用
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- 应用于化合物半导体单晶生长用坩埚
- 高频声表面波器件用基片
- 高纯氮化铝薄膜的射靶
- 红外线和微波的窗口材料
- 半导体设备用耐磨损和耐酸碱零件
hot press sintering AlN Block
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