制备芯片需要用到半导体设备，如刻蚀机、光刻机、离子注入机等，打开半导体设备，里面运用了大量的陶瓷零部件，陶瓷零部件具有耐高温、耐腐蚀、精度高、强度高等优异性能，其可以很好地用在半导体设备内。大部分陶瓷零部件在半导体制程中作为设备的关键零部件直接与晶圆接触，可以实现晶圆表面温度高精度控制和快速升降温。
图 新瓷半导体陶瓷部件
半导体陶瓷零部件属于先进陶瓷，通常采用高纯超细的无机材料来制备，常用的半导体陶瓷材料有：
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氧化铝（Al₂O₃）：高绝缘性、低成本，适用于绝缘部件和承载盘。
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氮化铝（AlN）：高导热性（≈170 W/m·K），用于散热基板和加热器。
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碳化硅（SiC）：耐高温（＞1600℃）、抗等离子侵蚀，适用于刻蚀机部件。
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氧化钇（Y₂O₃）：抗等离子腐蚀，用于刻蚀反应室内衬。
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氮化硅（Si₃N₄）：高强度、耐热冲击，适用于支撑件和机械部件。
半导体陶瓷零部件种类包括半导体陶瓷手臂、陶瓷喷嘴、陶瓷窗、陶瓷腔体罩、多孔陶瓷真空吸盘等，主要应用于以下几个场景：
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刻蚀设备：
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静电卡盘（ESC）：利用陶瓷介电层实现晶圆吸附（如AlN或Al₂O₃）。
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气体分配盘（Showerhead）：需耐等离子体腐蚀（Y₂O₃涂层或SiC）。
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反应室内衬：防止金属污染（Y₂O₃或Al₂O₃）。
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沉积设备（CVD/PVD）：
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加热器基板（AlN或SiC）。
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晶圆承载环（Si₃N₄）。
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光刻机：
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精密导轨和轴承（ZrO₂或Si₃N₄，低热膨胀、高刚性）。
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离子注入机：
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绝缘部件和束流通道（Al₂O₃）。
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纯度：＞99.9%，避免杂质污染晶圆。
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致密度：接近理论密度（气孔率＜0.1%），防止气体渗透。
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表面精度：Ra＜0.1μm，减少颗粒产生。
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热稳定性：低热膨胀系数（匹配硅晶圆，如AlN的CTE≈4.5×10⁻⁶/℃）。
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成型技术：
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干压/等静压：简单形状部件。
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注塑成型（CIM）：复杂结构（如多孔Showerhead）。
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流延成型：薄片陶瓷（如基板）。
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烧结：高温（1600-2000℃）气氛控制（如N₂用于AlN）。
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精密加工：激光切割、超声波钻孔、抛光。
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涂层技术：等离子喷涂Y₂O₃涂层增强抗腐蚀性。
