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新瓷|八大陶瓷基板材料及其热导率

发布日期: 2025-11-27 15:46:13 浏览量: 0

什么是热导率?

热导率是描述物质传递热量能力的物理量。它表示单位时间内,单位面积上的热量传递量与温度梯度之比。热导率越大,物质对热量的传递能力越强。陶瓷基板的导热率指的是陶瓷基板材料传导热量的能力,通常用热导率(W/mK)来表示。

热导率材料详细介绍

常见的8种材料的热导率如下:

第八名:(ZrO2):导热率为2-3 W/mK

第七名:压电陶瓷:2-15 W/mK

第六名:氧化铝18-35 W/mK

第五名:蓝宝石(Al2O3)25-40 W/mK

第四名:氮化硅(Si3N4):20-80 W/mK

第三名:氮化铝(AlN):170-230 W/mK

第二名:碳化硅(SiC):120-490W/mK

排名第一的是金刚石(C):1000-2000 W/mK

在选择材料的时候,不仅要考虑热导率,还要考虑化学性能,机械强度和韧性,热膨胀系数,加工成本,介电常数和介质损耗等。

1. 金刚石(C)

  • 热导率: 1000 - 2200 W/mK

  • 特点:

    • 自然界中已知热导率最高的物质,是终极的散热材料。

    • 同时具有极高的硬度和极佳的绝缘性。

    • 缺点是价格极其昂贵,尺寸小,难以金属化和加工。

  • 主要应用: 微波功率器件、激光器热沉、CPU/GPU高效散热等极端散热需求的领域。

     

2.碳化硅(SiC)

  • 热导率: 120 - 270 W/mK (烧结体,与纯度和烧结助剂有关)

  • 特点:

    • 热导率高,同时机械强度非常高,硬度大,耐磨。

    • 热膨胀系数小,热稳定性极佳。

    • 常作为金属化陶瓷电路板(如DPC、DBC)的基体材料,而不是直接作为线路承载基板。

  • 主要应用: 主要用作DBC/AMB工艺的基板;也用于高温、耐磨结构件。

3. 氮化铝(AlN)

  • 热导率: 140 - 240 W/mK

  • 特点:

    • 目前综合性能最好的高导热陶瓷基板之一,热导率仅次于金刚石和BeO。

    • 绝缘性能好,热膨胀系数与硅(Si)接近,匹配性好。

    • 无毒,是氧化铍的优秀替代品。

    • 缺点是成本较高,制备工艺复杂。

  • 主要应用: 大功率LED、激光二极管(LD)、IGBT模块、高功率微波器件。

4. 氮化硅(Si3N4)

  • 热导率: 70 - 120 W/mK

  • 特点:

    • 综合性能最优越:具有出色的高导热、高强度和高韧性的结合。

    • 抗热震性能极佳,热膨胀系数与硅也很匹配。

    • 机械可靠性是其主要优势,但成本高于AlN和Al₂O₃。

  • 主要应用: 电动汽车用IGBT模块(AMB-Si₃N₄是首选)、大功率半导体器件基板。

5. 蓝宝石 (单晶α-Al₂O₃)

  • 热导率: 约 35 - 46 W/mK (各向异性)

  • 特点:

    • 单晶结构,无晶界,因此绝缘性、透光性极好。

    • 化学性质非常稳定,机械强度高。

    • 缺点是成本高昂,加工困难,尺寸受限。

  • 主要应用: 大功率LED(尤其是垂直结构芯片)、GaN-on-Sapphire外延片、光学窗口、超高频电路。

6.氧化铝(Al2O3)

  • 热导率: 18 - 35 W/mK (与纯度有关,常见96%氧化铝约为24 W/mK)

  • 特点:

    • 最常用、最经济的陶瓷基板材料。

    • 技术成熟,成本低,机械强度、绝缘性和化学稳定性良好。

    • 缺点是热导率相对较低,不适合超高功率密度场景。

  • 主要应用: 各种电子元器件(如厚膜/薄膜电路)、LED(中低功率)、汽车电子、消费电子等。

7.压电陶瓷

  • 热导率: 导热率较低,通常为2-15 W/mK

  • 特点:

    • 但具有良好的压电效应和机械强度
  • 主要应用:在声波、超声波、振动传感等领域有广泛应用

8.氧化锆(ZrO2,尤其是钇稳定氧化锆 YSZ

  • 热导率: 2 - 3 W/mK

  • 特点:

    • 热导率非常低,但其优势在于极低的热导率和优异的隔热性能

    • 具有非常高的断裂韧性和强度(相变增韧效应)。

  • 主要应用: 主要用作热障涂层 或需要隔热的部件;在需要低热导率的传感器基板中也有应用。

蓝宝石和金刚石具有极高的硬度和导热性能,但价格较高,加工难度也较大。压电陶瓷具有良好的压电效应和机械强度,但导热性能相对较低。氮化铝和氧化锆具有良好的导热性能和机械强度,适用于高功率密度、高频率电子器件的散热和封装。

虽然陶瓷基板材料具有良好的导热性能和化学稳定性,但其机械强度和韧性较差,易受到外界冲击和振动的影响而发生裂纹和损伤。因此,在实际应用中,需要采取有效的散热结构设计和封装方式,以及合适的保护措施,保证陶瓷基板材料的稳定性和可靠性。

另外,不同的应用领域对于陶瓷基板的要求也有所不同。例如,在高功率密度电子器件和高频电子器件的散热领域,氮化铝是首选材料,因为其导热率高、热膨胀系数小,能有效地保持高功率密度电子器件的稳定性;而在高温、高压电子器件的封装和散热领域,则常采用氮化硅和硼氮化铝,因为它们具有较好的化学稳定性和机械强度,在高温、高压环境下能够保持良好的性能稳定性。

需要注意的是,陶瓷基板材料的导热率只是其热管理性能中的一个因素,其它因素,如热传导路径、散热结构设计等,同样重要。因此,选择合适的陶瓷基板材料需要综合考虑多方面因素,才能达到最佳的散热效果和性能稳定性。

此外,不同的陶瓷基板材料在加工上也存在差异,加工难度也会影响到其适用范围和成本。例如,氮化铝具有高硬度和高强度,加工难度较大,需要采用钻石工具进行加工,成本较高;而氮化硅则比较易加工,成本相对较低。

同时,在选择陶瓷基板材料时,还需要考虑其对电路设计的影响。不同的陶瓷基板材料具有不同的介电常数和介质损耗,这会影响到电路的传输特性和性能稳定性。因此,需要根据具体的电路设计需求和指标要求,选择合适的陶瓷基板材料。

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